คำอธิบาย

พารามิเตอร์ทางเทคนิค

รายละเอียดสินค้า

SiC epi wafer เป็นผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูงและขั้นสูงในตลาด เป็นเวเฟอร์เอปิแอกเซียลซิลิคอนคาร์ไบด์ชนิดหนึ่งที่ให้ประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในการใช้งานทางอิเล็กทรอนิกส์และออปติคัลต่างๆ เวเฟอร์ SiC epi ผลิตโดยการใช้เทคนิคการเติบโตของคริสตัลขั้นสูง ส่งผลให้ได้วัสดุคุณภาพสูงพร้อมคุณสมบัติที่เหนือกว่า

ข้อดีที่สำคัญประการหนึ่งของ SiC epi wafer คือแรงดันพังทลายสูง ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการใช้งานที่ใช้พลังงานสูงและอุณหภูมิสูง นอกจากนี้ยังมีความทนทานสูงต่อความเครียดจากความร้อนและเชิงกล ซึ่งรับประกันความเสถียรและความทนทานแม้ในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง คุณสมบัติการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมช่วยให้กระจายความร้อนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ลดความเสี่ยงต่อความเสียหายจากความร้อนต่อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เวเฟอร์ SiC epi ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ รวมถึงอิเล็กทรอนิกส์กำลัง แสงสว่าง และเซ็นเซอร์ ให้ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยม แม้ในการใช้งานที่ต้องการอุณหภูมิสูงและกำลังสูง นอกจากนี้ ยังเป็นทางเลือกที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมและยั่งยืนเมื่อเทียบกับวัสดุที่ทำจากซิลิคอนแบบดั้งเดิม ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับผู้บริโภคที่คำนึงถึงสิ่งแวดล้อม

4H N-TYPE SiC 100 มม., 350ข้อมูลจำเพาะของเวเฟอร์ μm
หมายเลขบทความ	W4H100N-4-PO (หรือ CO)-350
คำอธิบาย	พื้นผิว SiC 4H
โพลีไทป์	4H
เส้นผ่านศูนย์กลาง	(100+0.0-0.5) มม
ความหนา	(350±25) μm (เกรดวิศวกรรม ±50μm)
ประเภทผู้ให้บริการ	n-ประเภท
สารเจือปน	ไนโตรเจน
ความต้านทาน (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (เกรดวิศวกรรม<0.025Ω▪cm)
การวางแนวเวเฟอร์	(4+0.5) องศา
	เกรดวิศวกรรม	เกรดการผลิต	เกรดการผลิต
	2.1	2.2	2.3
ความหนาแน่นของไมโครไพพ์	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 30 ซม.-²	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 10 ซม.-²	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 1 ซม.-²
พื้นที่ปลอดไมโครไปป์	ไม่ระบุ	มากกว่าหรือเท่ากับ 96%	มากกว่าหรือเท่ากับ 96%
การวางแนวแบน (OF)
ปฐมนิเทศ	ขนาน {1-100} ±5 องศา
การวางแนวความยาวแบน	(32.5±2.0) มม
การระบุตัวตนแบบแบน (IF)
ปฐมนิเทศ	หน้า Si: 90 องศา cw จากการวางแนวราบ ±5 องศา
ระบุความยาวแบน	(18.0+2.0) มม
พื้นผิว	ตัวเลือกที่ 1: การขัดเงาแบบมาตรฐาน Si-face การขัดเงาแบบออพติคอล C-face พร้อม Epi
	ตัวเลือกที่ 2: Si-face CMP Epi-ready, การขัดเงาด้วยแสง C-face
บรรจุุภัณฑ์	กล่องจัดส่งเวเฟอร์หลายอัน (25)
	(แพ็คเกจเวเฟอร์เดี่ยวตามคำขอ)

6H N-TYPE SiC, ข้อมูลจำเพาะเวเฟอร์ 2"
หมายเลขบทความ	W6H51N-0-PM-250-ส
คำอธิบาย	พื้นผิว SiC เกรดการผลิต 6H
โพลีไทป์	6H
เส้นผ่านศูนย์กลาง	(50.8±38) มม
ความหนา	(250±25) หนอ
ประเภทผู้ให้บริการ	n-ประเภท
สารเจือปน	ไนโตรเจน
ความต้านทาน (RT)	0.06-0.10Ω▪ซม
การวางแนวเวเฟอร์	(0+0.5) องศา
ความหนาแน่นของไมโครไพพ์	น้อยกว่าหรือเท่ากับ 100 ซม.-²
การวางแนวการวางแนวแบบแบน	ขนาน {1-100} ±5 องศา
การวางแนวความยาวแบน	(15.88±1.65) มม
การระบุการวางแนวแบบเรียบ	Si-face: 90 องศา cw. การวางแนวขมวดเรียบ ±5 องศา
ระบุความยาวแบน	(8+1.65) มม
พื้นผิว	น้ำยาขัดเงามาตรฐาน Si-face Epi-ready
พื้นผิว	หน้าซีมีแมตต์
บรรจุุภัณฑ์	บรรจุแพ็คเกจเวเฟอร์เดี่ยวหรือกล่องจัดส่งเวเฟอร์หลายกล่อง

รูปภาพสินค้า

SiC GaN Wafer1

ทำไมถึงเลือกพวกเรา

ผลิตภัณฑ์ของเรามาจากผู้ผลิตห้าอันดับแรกของโลกและโรงงานชั้นนำในประเทศโดยเฉพาะ สนับสนุนโดยทีมงานด้านเทคนิคในประเทศและต่างประเทศที่มีทักษะสูงและมาตรการควบคุมคุณภาพที่เข้มงวด

วัตถุประสงค์ของเราคือการให้การสนับสนุนลูกค้าแบบตัวต่อตัวอย่างครอบคลุม เพื่อให้มั่นใจว่าช่องทางการสื่อสารที่ราบรื่นอย่างมืออาชีพ ทันเวลา และมีประสิทธิภาพ เรามีปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำที่ต่ำและรับประกันการจัดส่งที่รวดเร็วภายใน 24 ชั่วโมง

งานแสดงโรงงาน

สินค้าคงคลังอันกว้างขวางของเราประกอบด้วยผลิตภัณฑ์ 1000+ รายการ เพื่อให้มั่นใจว่าลูกค้าสามารถสั่งซื้อได้เพียงชิ้นเดียว อุปกรณ์ที่เราเป็นเจ้าของเองสำหรับการหั่นลูกเต๋าและการลับคม และความร่วมมืออย่างเต็มที่ในห่วงโซ่อุตสาหกรรมระดับโลกช่วยให้เราสามารถจัดส่งได้ทันทีเพื่อให้มั่นใจว่าลูกค้าพึงพอใจและสะดวกแบบครบวงจร

ใบรับรองของเรา

บริษัทของเรามีความภาคภูมิใจในใบรับรองต่างๆ ที่เราได้รับ รวมถึงใบรับรองสิทธิบัตร ใบรับรอง ISO9001 และใบรับรอง National High-Tech Enterprise การรับรองเหล่านี้แสดงถึงความมุ่งมั่นของเราต่อนวัตกรรม การจัดการคุณภาพ และความมุ่งมั่นสู่ความเป็นเลิศ